Datasheet MMBTA56LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Купить MMBTA56LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.54 до 12 ₽ 33 предложений от 17 поставщиков Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 80 В, 500 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	MMBTA56LT1G ON Semiconductor	0.54 ₽	Купить
Триема Россия	RC0402JR-075K6L Yageo	1.00 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	MMBTA56LT1G ON Semiconductor	от 8.22 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	MMBTA56LT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBTA55LT1G, MMBTA56LT1G Driver Transistors
PNP Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE Symbol MMBTA55 MMBTA56 MMBTA55 MMBTA56 VCEO Value -60 -80 -60 -80 -4.0 -500 Unit Vdc 3 Vdc 1 2 Vdc mAdc SOT-23 CASE 318 STYLE 6 2 EMITTER
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• Частота единичного усиления типовая: 50 МГц
• Power Dissipation Pd: 300 мВт
• DC Collector Current: -500 мА
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 250 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 500 мА
• DC Current Gain: 100 мА
• Частота единичного усиления минимальная: 50 МГц
• DC Current Gain Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
• SMD Marking: 2GM
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 80 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901