Datasheet 2N6520RLRAG - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP -350 В TO-92 — Даташит
Наименование модели: 2N6520RLRAG
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - Биполярные Одиночные | |||
2N6520RLRAG Rochester Electronics | 16 ₽ | ||
2N6520RLRAG ON Semiconductor | 16 ₽ | ||
2N6520RLRAG ON Semiconductor | 17 ₽ | ||
2N6520RLRAG ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP -350 В TO-92
Краткое содержание документа:
NPN - 2N6515, 2N6517; PNP - 2N6520 High Voltage Transistors
NPN and PNP
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 2 BASE Symbol VCEO 250 350 VCBO 2N6515 2N6517, 2N6520 Emitter - Base Voltage 2N6515, 2N6517 2N6520 Base Current Collector Current - Continuous Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range IB IC PD PD TJ, Tstg VEBO 6.0 5.0 250 500 625 5.0 1.5 12 -55 to +150 mAdc mAdc mW mW/°C W mW/°C °C TO-92 CASE 29 STYLE 1 12 1 250 350 Vdc Vdc 1 EMITTER 2N6515 2N6517, 2N6520 Collector - Base Voltage Value Unit Vdc NPN 1 EMITTER COLLECTOR 3 2 BASE PNP
· Voltage and Current are Negative for PNP Transistors · These are Pb-Free Devices*
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
- Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
- Power Dissipation Pd: 625 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 40
RoHS: есть