Datasheet 2N6520RLRAG - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP -350 В TO-92 — Даташит

Купить 2N6520RLRAG на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 191 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
T-electron Россия и страны СНГ	2N6520RLRAG ON Semiconductor	19 ₽	Купить
ЭИК Россия	2N6520RLRAG ON Semiconductor	45 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	2N6520RLRAG ON Semiconductor	82 ₽	Купить
Utmel Весь мир	2N6520RLRAG ON Semiconductor	от 186 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP -350 В TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN - 2N6515, 2N6517; PNP - 2N6520 High Voltage Transistors
NPN and PNP
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 2 BASE Symbol VCEO 250 350 VCBO 2N6515 2N6517, 2N6520 Emitter - Base Voltage 2N6515, 2N6517 2N6520 Base Current Collector Current - Continuous Total Device Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range IB IC PD PD TJ, Tstg VEBO 6.0 5.0 250 500 625 5.0 1.5 12 -55 to +150 mAdc mAdc mW mW/°C W mW/°C °C TO-92 CASE 29 STYLE 1 12 1 250 350 Vdc Vdc 1 EMITTER 2N6515 2N6517, 2N6520 Collector - Base Voltage Value Unit Vdc NPN 1 EMITTER COLLECTOR 3 2 BASE PNP
· Voltage and Current are Negative for PNP Transistors · These are Pb-Free Devices*

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
• Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
• Power Dissipation Pd: 625 мВт
• DC Collector Current: 500 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 40

RoHS: есть