Datasheet MJD253-1G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK — Даташит

Наименование модели: MJD253-1G
19 предложений от 15 поставщиков TRANS PNP 100V 4A IPAK. Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-PAK. Transistors - Bipolar (BJT) -... | |||
| MJD253-1G ON Semiconductor | 25 ₽ | ||
| MJD253-1G ON Semiconductor | 45 ₽ | ||
| MJD253-1G ON Semiconductor | 58 ₽ | ||
| MJD253-1G ON Semiconductor | от 77 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
- Power Dissipation Pd: 12.5 Вт
- DC Collector Current: -4 А
- DC Current Gain Max (hfe): 40
RoHS: есть
Варианты написания:
MJD2531G, MJD253 1G






