Datasheet MJD253-1G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD253-1G
![]() 24 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
MJD253-1G ON Semiconductor | от 13 ₽ | ||
MJD253-1G ON Semiconductor | 60 ₽ | ||
MJD253-1G | 64 ₽ | ||
MJD253-1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
- Power Dissipation Pd: 12.5 Вт
- DC Collector Current: -4 А
- DC Current Gain Max (hfe): 40
RoHS: есть
Варианты написания:
MJD2531G, MJD253 1G