Datasheet MJD253-1G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK — Даташит

Купить MJD253-1G на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 1 422 ₽ 24 предложений от 15 поставщиков TRANS PNP 100V 4A IPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK
T-electron Россия и страны СНГ	MJD253-1G ON Semiconductor	24 ₽	Купить
ЧипСити Россия	MJD253-1G ON Semiconductor	37 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	MJD253-1G ON Semiconductor	45 ₽	Купить
Augswan Весь мир	MJD253-1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
• Power Dissipation Pd: 12.5 Вт
• DC Collector Current: -4 А
• DC Current Gain Max (hfe): 40

RoHS: есть

Варианты написания:

MJD2531G, MJD253 1G