Datasheet MJD350T4G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -300 В — Даташит
Наименование модели: MJD350T4G
![]() 57 предложений от 25 поставщиков Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, 300 В, 500 мА, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
MJD350T4G ON Semiconductor | от 17 ₽ | ||
MJD350T4G ON Semiconductor | от 53 ₽ | ||
MJD350T4G ON Semiconductor | от 56 ₽ | ||
MJD350T4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -300 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
- Power Dissipation Pd: 15 Вт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 240
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
RoHS: есть