Datasheet MJD5731T4G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -350 В — Даташит
Наименование модели: MJD5731T4G
Купить MJD5731T4G на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 53 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А | |||
| MJD5731T4G ON Semiconductor | 16 ₽ | ||
| MJD5731T4G ON Semiconductor | 16 ₽ | ||
| MJD5731T4G ON Semiconductor | 46 ₽ | ||
| MJD5731T4G ON Semiconductor | 50 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -350 В
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
MJD5731 High Voltage PNP Silicon Power Transistors
D e s i g n e d f o r l i n e o p e r a t e d a u d i o o u t p u t a m p l i f i e r, SWITCHMODE t power supply drivers and other switching applications.
Features http://onsemi.com
· · · · · ·
350 V (Min) - VCEO(sus) 1.0 A Rated Collector Current PNP Complements to the MJD47 thru MJD50 Series Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V Machine Model, C u 400 V These are Pb-Free Packages
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
- Transition Frequency Typ ft: 10 Гц
- Power Dissipation Pd: 15 мВт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 10
RoHS: есть
