Datasheet MJE5731G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -350 В, TO-220 — Даташит
Наименование модели: MJE5731G
![]() 37 предложений от 19 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А, 40 Вт, TO-220, Through Hole | |||
MJE5731G ON Semiconductor | от 14 ₽ | ||
MJE5731G ON Semiconductor | 34 ₽ | ||
MJE5731G ON Semiconductor | 68 ₽ | ||
MJE5731G ON Semiconductor | от 84 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -350 В, TO-220
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
- Transition Frequency Typ ft: 10 МГц
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- DC Collector Current: -1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 10
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB