Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet MJE5731G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -350 В, TO-220 — Даташит

ON Semiconductor MJE5731G

Наименование модели: MJE5731G

40 предложений от 19 поставщиков
Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А, 40 Вт, TO-220, Through Hole
ChipWorker
Весь мир
MJE5731G
ON Semiconductor
46 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
MJE5731G
ON Semiconductor
от 86 ₽
Эиком
Россия
MJE5731G
ON Semiconductor
от 87 ₽
MJE5731G
Sharp
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -350 В, TO-220

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
  • Transition Frequency Typ ft: 10 МГц
  • Power Dissipation Pd: 40 Вт
  • DC Collector Current: -1 А
  • DC Current Gain Max (hfe): 10

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB

На английском языке: Datasheet MJE5731G - ON Semiconductor BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350 V, TO-220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка