Datasheet BDV66B - Semelab Даташит Составной транзистор Дарлингтона, SOT-93 — Даташит
Наименование модели: BDV66B
![]() 19 предложений от 11 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, MULTICOMP BDV66B Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, 100V, 6MHz, 125W, 16A | |||
BDV66B | от 436 ₽ | ||
BDV66B Multicomp Pro | от 636 ₽ | ||
BDV66B.R Mospec | по запросу | ||
BDV66B STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Semelab
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, SOT-93
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Av Current Ic: 16 А
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
- Current Ic Continuous a Max: 16 А
- DC Collector Current: 16 А
- DC Current Gain Min: 1000
- DC Current Gain: 3000
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество выводов: 3
- Количество транзисторов: 1
- Корпус транзистора: SOT-93
- Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип корпуса: SOT-93
- Тип транзистора: Darlington
- Ток коллектора постоянный максимальный: 16 А
- Частота единичного усиления типовая: 6 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)