Datasheet MJ10025 - Solid State Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 850 В, TO-3 — Даташит
Наименование модели: MJ10025
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, SOLID STATE MJ10025 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 850V, 250W, 20A, 50 hFE | |||
MJ10025 | 166 ₽ | ||
MJ10025 NXP | 15 400 ₽ | ||
MJ10025 Mospec | по запросу | ||
MJ10025 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Solid State
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 850 В, TO-3
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 850 В
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- DC Collector Current: 20 А
- DC Current Gain Max (hfe): 50
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+200°C
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K