Datasheet 2N2219A - STMicroelectronics Даташит Транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, TO39 — Даташит
Наименование модели: 2N2219A
![]() 63 предложений от 30 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, 2N2219A Series 40V 0.8W Through Hole High Speed Switch - TO-39 | |||
2N2219A STMicroelectronics | 16 ₽ | ||
2N2219A | 19 ₽ | ||
2N2219A PBFREE | от 227 ₽ | ||
2N2219A/DSI Central Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, TO39
Краткое содержание документа:
®
2N2219A 2N2222A
HIGH SPEED SWITCHES
PRELIMINARY DATA
DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case.
They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage currents and low saturation voltage. TO-18 TO-39
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Частота единичного усиления типовая: 300 МГц
- Power Dissipation Pd: 800 мВт
- DC Collector Current: 600 мА
- Корпус транзистора: TO-39
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 800 мА
- Current Ic @ Vce Sat: 150 мА
- Current Ic Continuous a Max: 800 мА
- Current Ic Fall Time Measurement: 150 мА
- DC Current Gain: 150 мА
- Маркировка: 2N2219A
- Время спада коллекторного тока: 60 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Частота единичного усиления минимальная: 300 МГц
- DC Current Gain Min: 100
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-39
- Рассеиваемая мощность максимальная: 800 мВт
- Способ монтажа: Through Hole
- Обратный ток перехода база-коллектор: 75 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 5F-2
- AAVID THERMALLOY - 5F
- Fischer Elektronik - KK 504
- Fischer Elektronik - WLK 5