Datasheet Toshiba 2SC5200 — Даташит
Производитель | Toshiba |
Серия | 2SC5200 |

Силовой транзистор для высокоскоростных коммутационных приложений
Datasheets
Datasheet 2SC5200
PDF, 208 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: янв 2016, Страниц: 5
Silicon NPN Triple Diffused Type
Silicon NPN Triple Diffused Type
Выписка из документа
Цены
![]() 91 предложений от 39 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 230Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 230Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 6Напряжение насыщения КЭ... | |||
2SC5200-O[S1. F. S] Toshiba | 78 ₽ | ||
2SC5200-O(S1,F Toshiba | от 316 ₽ | ||
2SA1943+2SC5200 | 730 ₽ | ||
2SC5200/2SA1943 Toshiba | по запросу |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Код корпуса производителя | TO-3P(L) |
Параметры
Application Scope | Audio amplifier output stage 100-W |
Assembly bases | China / Japan |
Collector Emitter Saturation Voltage (Max) [IB=800mA IC=8A] | 3.0 Ⅴ |
Complementary Product | 2SA1943 |
DC Current Gain hFE (Max) [IC=1A VCE=5V] | 160 - |
DC Current Gain hFE (Min) [IC=1A VCE=5V] | 55 - |
Polarity | NPN |
Transition frequency (Typ.) [IC=1A VCE=5V] | 30 МГц |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Экологический статус
2SC5200-O(S1,F | |
---|---|
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: 2SC5200 (1)
Классификация производителя
- Bipolar Transistors > Bipolar Transistors