Datasheet 2STA1695 - STMicroelectronics Даташит Транзистор, PNP TO-3P — Даташит
Наименование модели: 2STA1695
![]() 14 предложений от 11 поставщиков STMICROELECTRONICS 2STA1695Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 140 V, 20 MHz, 100 W, 7 A, 70 | |||
2STA1695 STMicroelectronics | 294 ₽ | ||
2STA1695 STMicroelectronics | 836 ₽ | ||
2STA1695 STMicroelectronics | 985 ₽ | ||
2STA1695 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Транзистор, PNP TO-3P
Краткое содержание документа:
2STA1695
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STC4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC
3 2 1
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 140 В
- Частота единичного усиления типовая: 20 МГц
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- DC Collector Current: 7 А
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 10 А
- Current Ic Continuous a Max: 7 А
- DC Current Gain: 3 А
- DC Current Gain Min: 70
- Тип корпуса: TO-3P
- Рассеиваемая мощность максимальная: 100 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Обратный ток перехода база-коллектор: 140 В
RoHS: есть