Datasheet 2STA1962 - STMicroelectronics Даташит Транзистор, PNP TO-3P — Даташит
Наименование модели: 2STA1962
![]() 12 предложений от 12 поставщиков STMICROELECTRONICS 2STA1962Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 230 V, 30 MHz, 130 W, 8 A, 80 | |||
2STA1962 STMicroelectronics | 112 ₽ | ||
2STA1962 STMicroelectronics | 130 ₽ | ||
2STA1962 STMicroelectronics | по запросу | ||
2STA1962 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Транзистор, PNP TO-3P
Краткое содержание документа:
2STA1962
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
High breakdown voltage VCEO = -230 V Complementary to 2STC5242 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHz
3 2 1
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 230 В
- Частота единичного усиления типовая: 30 МГц
- Power Dissipation Pd: 130 Вт
- DC Collector Current: 8 А
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 15 А
- Current Ic Continuous a Max: 8 А
- DC Current Gain: 1 А
- DC Current Gain Min: 80
- Тип корпуса: TO-3P
- Рассеиваемая мощность максимальная: 130 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Обратный ток перехода база-коллектор: 230 В
RoHS: есть