Datasheet ESM3030DV - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, лампа 10 — Даташит
Наименование модели: ESM3030DV
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона NPN Darl Power Mod | |||
ESM3030DV STMicroelectronics | 35 ₽ | ||
ESM3030DV_03 STMicroelectronics | по запросу | ||
ESM3030DV STMicroelectronics | по запросу | ||
ESM3030DV STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, лампа 10
Краткое содержание документа:
®
ESM3030DV
NPN DARLINGTON POWER MODULE
s s s
s s
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
- Корпус транзистора: ISOTOP
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 А
- Ток базы: 5 А
- Current Ic Continuous a Max: 100 А
- DC Current Gain: 85 А
- External Depth: 38.2 мм
- Внешняя длина / высота: 12.2 мм
- Внешняя ширина: 25.4 мм
- DC Current Gain Min: 300
- DC Current Gain Typ: 300
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: ISOTOP
- Pin Configuration: b
- Power Dissipation Pd: 225 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 225 Вт
- Pulsed Current Icm: 150 А
- Способ монтажа: Screw
- Тип транзистора: Darlington
- Обратный ток перехода база-коллектор: 400 В
RoHS: Y-Ex