Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet MJD127T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона — Даташит

STMicroelectronics MJD127T4

Наименование модели: MJD127T4

59 предложений от 31 поставщиков
Транзисторы биполярные.Описание: Транзистор биполярный PNP; -100 В; -8 А; hFE 1000…20000; TO-252 (DPAK)Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo),...
Элитан
Россия
MJD127T4-TO-252
5.99 ₽
Триема
Россия
MJD127T4G
13 ₽
ЧипСити
Россия
MJD127T4
ON Semiconductor
80 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
MJD127T4
STMicroelectronics
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJD122 MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
Low collector-emitter saturation voltage Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • Power Dissipation Pd: 20 Вт
  • DC Collector Current: 5 А
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • DC Current Gain: 1000
  • DC Current Gain Min: 1000
  • Тип корпуса: TO-252

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJD127T4 - STMicroelectronics DARLINGTON BIPOLAR TRANSISTOR

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка