Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet MJD127T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона — Даташит

STMicroelectronics MJD127T4

Наименование модели: MJD127T4

55 предложений от 29 поставщиков
Транзисторы биполярные.Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В:...
AllElco Electronics
Весь мир
MJD127T4G
ON Semiconductor
от 8.40 ₽
Эиком
Россия
MJD127T4
STMicroelectronics
от 49 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
MJD127T4
STMicroelectronics
77 ₽
Augswan
Весь мир
MJD127T4G
ON Semiconductor
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJD122 MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
Low collector-emitter saturation voltage Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • Power Dissipation Pd: 20 Вт
  • DC Collector Current: 5 А
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • DC Current Gain: 1000
  • DC Current Gain Min: 1000
  • Тип корпуса: TO-252

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJD127T4 - STMicroelectronics DARLINGTON BIPOLAR TRANSISTOR

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка