Datasheet MJD127T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона — Даташит
Наименование модели: MJD127T4
![]() 59 предложений от 31 поставщиков Транзисторы биполярные.Описание: Транзистор биполярный PNP; -100 В; -8 А; hFE 1000…20000; TO-252 (DPAK)Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo),... | |||
MJD127T4-TO-252 | 5.99 ₽ | ||
MJD127T4G | 13 ₽ | ||
MJD127T4 ON Semiconductor | 80 ₽ | ||
MJD127T4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона
Краткое содержание документа:
MJD122 MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
Low collector-emitter saturation voltage Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- DC Collector Current: 5 А
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- DC Current Gain: 1000
- DC Current Gain Min: 1000
- Тип корпуса: TO-252
RoHS: есть