Datasheet MJD127T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона — Даташит
Наименование модели: MJD127T4
![]() 64 предложений от 34 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -100Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -100Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В:... | |||
MJD127T4G | 13 ₽ | ||
MJD127T4G | 16 ₽ | ||
MJD127T4 STMicroelectronics | 75 ₽ | ||
MJD127T4 STMicroelectronics | 80 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона
Краткое содержание документа:
MJD122 MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
Low collector-emitter saturation voltage Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- DC Collector Current: 5 А
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- DC Current Gain: 1000
- DC Current Gain Min: 1000
- Тип корпуса: TO-252
RoHS: есть