Datasheet MJD44H11T4 - STMicroelectronics Даташит Транзистор NPN 80 В 8 А DPAK — Даташит
Наименование модели: MJD44H11T4
![]() 63 предложений от 32 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
MJD44H11T4G | от 42 ₽ | ||
MJD44H11T4-A STMicroelectronics | от 47 ₽ | ||
MJD44H11T4-A STMicroelectronics | по запросу | ||
MJD44H11T4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Транзистор NPN 80 В 8 А DPAK
Краткое содержание документа:
MJD44H11 MJD45H11
Complementary power transistors
Features
.
Low collector-emitter saturation voltage Fast switching speed Surface-mounting TO-252 (DPAK) power package in tape and reel (suffix "T4")
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Рассеиваемая мощность: 20 Вт
- DC Collector Current: 10 А
- DC Current Gain: 60
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 1 В
- Current Ic Continuous a Max: 8 А
- DC Current Gain Min: 60
- Тип корпуса: TO-252
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power
RoHS: есть