Datasheet MJE802 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона — Даташит

Наименование модели: MJE802
24 предложений от 21 поставщиков TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA. Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA. Transistors - Bipolar... | |||
| MJE802G ON Semiconductor | от 108 ₽ | ||
| MJE802G ON Semiconductor | 108 ₽ | ||
| MJE802G | по запросу | ||
| MJE802 STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона
Краткое содержание документа:
Power bipolar transistors
Selection guide
December 2005
www.st.com/bipolar
Electronic light ballast design-in guidelines
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 80 В
- Рассеиваемая мощность: 40 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain Max (hfe): 750
- Количество выводов: 3
- Collector Current @ hfe: 1.5 А
RoHS: есть






