Datasheet MJE802 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона — Даташит
Наименование модели: MJE802
28 предложений от 23 поставщиков Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона NPN Power Darlington | |||
MJE802G ON Semiconductor | от 108 ₽ | ||
MJE802P STMicroelectronics | по запросу | ||
MJE802F STMicroelectronics | по запросу | ||
MJE802 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона
Краткое содержание документа:
Power bipolar transistors
Selection guide
December 2005
www.st.com/bipolar
Electronic light ballast design-in guidelines
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 80 В
- Рассеиваемая мощность: 40 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain Max (hfe): 750
- Количество выводов: 3
- Collector Current @ hfe: 1.5 А
RoHS: есть