Datasheet STS01DTP06 - STMicroelectronics Даташит Транзистор, сдвоенный, NPN/PNP, SO-8 — Даташит

Купить STS01DTP06 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 855 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SO. Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 2W Surface Mount 8-SO. Transistors - Bipolar (BJT)...
ChipWorker Весь мир	STS01DTP06 STMicroelectronics	25 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STS01DTP06 STMicroelectronics	61 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STS01DTP06 STMicroelectronics	855 ₽	Купить
727GS Весь мир	STS01DTP06 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Транзистор, сдвоенный, NPN/PNP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STS01DTP06
Dual NPN-PNP complementary Bipolar transistor
General features
VCE(sat) 0.35V
hFE >100

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN / PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• DC Collector Current: 3 А
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 700 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 3 А
• Ток базы: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 2 А
• Current Ic NPN Device: 3 А
• Current Ic PNP Device: 3 А
• DC Current Gain: 1 А
• DC Current Gain Min: 100
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1(E1), 2(B1), 3(E2), 4(B2), 5&6(C2), 7&8(C1)
• Pin Format: Q1=NPN, Q2=PNP
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.6 Вт
• Power Dissipation per device Max: 2 Вт
• Pulsed Current Icm: 6 А
• SMD Marking: SO1DTP06
• Saturation Current Ic: 2 А
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 700 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01