AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet MJD112T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-252 — Даташит

STMicroelectronics MJD112T4

Наименование модели: MJD112T4

56 предложений от 32 поставщиков
Транзисторы биполярные.Транспортная упаковка: размер/кол-во: 61*51*51/2500Вес брутто: 0.53Упаковка: REEL, 2500 шт.
Lixinc Electronics
Весь мир
MJD112T4G
ON Semiconductor
от 20 ₽
ChipWorker
Весь мир
MJD112T4G
ON Semiconductor
21 ₽
Maybo
Весь мир
MJD112T4
STMicroelectronics
49 ₽
IC Home
Весь мир
MJD112T4G
ON Semiconductor
59 ₽

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJD112 MJD117
Complementary power Darlington transistors
Features
.
Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 100 В
  • Рассеиваемая мощность: 20 Вт
  • DC Collector Current: 2 А
  • DC Current Gain Max (hfe): 1000
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJD112T4 - STMicroelectronics DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100 V, TO-252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка