Datasheet MJD112T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-252 — Даташит
Наименование модели: MJD112T4
![]() 56 предложений от 32 поставщиков Транзисторы биполярные.Транспортная упаковка: размер/кол-во: 61*51*51/2500Вес брутто: 0.53Упаковка: REEL, 2500 шт. | |||
MJD112T4G ON Semiconductor | от 20 ₽ | ||
MJD112T4G ON Semiconductor | 21 ₽ | ||
MJD112T4 STMicroelectronics | 49 ₽ | ||
MJD112T4G ON Semiconductor | 59 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-252
Краткое содержание документа:
MJD112 MJD117
Complementary power Darlington transistors
Features
.
Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 100 В
- Рассеиваемая мощность: 20 Вт
- DC Collector Current: 2 А
- DC Current Gain Max (hfe): 1000
- Количество выводов: 3
RoHS: есть