Datasheet MJD112T4 - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-252 — Даташит

Купить MJD112T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.38 до 76 ₽ 53 предложений от 27 поставщиков Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона NPN Power Darlington
Стандарт СИЗ Россия	MJD112T4 STMicroelectronics	6.38 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	MJD112T4 STMicroelectronics	15 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	MJD112T4 STMicroelectronics	от 61 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	MJD112T4TR STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJD112 MJD117
Complementary power Darlington transistors
Features
.
Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 100 В
• Рассеиваемая мощность: 20 Вт
• DC Collector Current: 2 А
• DC Current Gain Max (hfe): 1000
• Количество выводов: 3

RoHS: есть