Datasheet ESM2012DV - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, SOT-227 — Даташит

Купить ESM2012DV на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 8 поставщиков Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона NPN Darl Power Mod
Кремний Россия и страны СНГ	ESM2012DV STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	ESM2012DV STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	ESM2012DV STMicroelectronics	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	ESM2012DV STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
®
ESM2012DV
NPN DARLINGTON POWER MODULE
s s s
s s

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 125 В
• Power Dissipation Pd: 175 Вт
• DC Collector Current: 120 А
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 120 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 120 А
• Ток базы: 2 А
• Current Ic Continuous a Max: 120 А
• DC Current Gain: 120 А
• External Depth: 38.2 мм
• Внешняя длина / высота: 12.2 мм
• Внешняя ширина: 25.4 мм
• DC Current Gain Min: 1200
• DC Current Gain Typ: 1200
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: ISOTOP
• Pin Configuration: b
• Рассеиваемая мощность максимальная: 175 Вт
• Pulsed Current Icm: 128 А
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 150 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• SCHRODER - 20900