Datasheet ESM2012DV - STMicroelectronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, SOT-227 — Даташит

Купить ESM2012DV на РадиоЛоцман.Цены 11 предложений от 11 поставщиков TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP. Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 120A 175W Chassis Mount ISOTOP®. Transistors - Bipolar...
Рутоника Россия и страны СНГ	ESM2012DV STMicroelectronics	1 616 ₽	Купить
МосЧип Россия	ESM2012DV/STM STMicroelectronics	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	ESM2012DV STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	ESM2012DV STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
®
ESM2012DV
NPN DARLINGTON POWER MODULE
s s s
s s

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 125 В
• Power Dissipation Pd: 175 Вт
• DC Collector Current: 120 А
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 120 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 120 А
• Ток базы: 2 А
• Current Ic Continuous a Max: 120 А
• DC Current Gain: 120 А
• External Depth: 38.2 мм
• Внешняя длина / высота: 12.2 мм
• Внешняя ширина: 25.4 мм
• DC Current Gain Min: 1200
• DC Current Gain Typ: 1200
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: ISOTOP
• Pin Configuration: b
• Рассеиваемая мощность максимальная: 175 Вт
• Pulsed Current Icm: 128 А
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 150 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• SCHRODER - 20900