Datasheet MMBT4403LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, ВЧ биполярный — Даташит
Наименование модели: MMBT4403LT1G
![]() 55 предложений от 27 поставщиков Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,6А, 0,225Вт, SOT23 | |||
MMBT4403LT1G ON Semiconductor | от 1.77 ₽ | ||
MMBT4403LT1G ON Semiconductor | 2.30 ₽ | ||
MMBT4403LT1G ( 2T ) | от 3.00 ₽ | ||
MMBT4403LT1G ON Semiconductor | от 3.65 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, ВЧ биполярный
Краткое содержание документа:
MMBT4403L, SMMBT4403L Switching Transistor
PNP Silicon
Features
· AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable · S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique ·
http://onsemi.com
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -40 В
- Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 600 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Collector Current Ic: -600 мА
- Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
- Тип корпуса: SOT-23
- RF Transistor Case: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть