Datasheet 2N7002-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.115 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: 2N7002-7-F
![]() 46 предложений от 22 поставщиков DIODES INC. - 2N7002-7-F - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Surface Mount | |||
2N7002-7-F Diodes | 1.02 ₽ | ||
2N7002-7-F | 2.76 ₽ | ||
2N7002-7-F Diodes | 16 ₽ | ||
2N7002-7-F Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.115 А, SOT23
Краткое содержание документа:
2N7002
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 115 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 13.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 800 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
2N70027F, 2N7002 7 F