Datasheet BS170FTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N SOT-23 REEL 3K — Даташит
Наименование модели: BS170FTA
![]() 31 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23 | |||
BS170FTA Diodes | от 5.01 ₽ | ||
BS170FTA Diodes | 18 ₽ | ||
BS170FTA Zetex | по запросу | ||
BS170FTA | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N SOT-23 REEL 3K
Краткое содержание документа:
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 - JANUARY 1996 FEATURES * 60Volt VDS * RDS(ON) = 5
BS170F
S
D G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 150 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 330 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 150 мкА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт
- Pulse Current Idm: 3 А
- Количество приборов в упаковке (ленте): 3000
- SMD Marking: мВ
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
RoHS: есть