Datasheet DMN100-7-F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.1 А, SC-59 — Даташит

Diodes DMN100-7-F

Наименование модели: DMN100-7-F

Купить DMN100-7-F на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 32 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков DIODES INC. - DMN100-7-F - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 30 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V
AiPCBA Весь мир	DMN100-7-F Diodes	13 ₽
ChipWorker Весь мир	DMN100-7-F Diodes	14 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	DMN100-7-F Diodes	22 ₽
ТаймЧипс Россия	DMN100-7-F Diodes	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.1 А, SC-59

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN100
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · Extremely Low On-Resistance: 170m @ VGS = 4.5V High Drain Current: 1.1A Ideal for Notebook Computer, Portable Phone, PCMCIA Cards, and Battery Powered Circuits Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability ESD Protected Gate "Green" Device (Note 3)
Mechanical Data

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 1.1 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 240 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Рассеиваемая мощность: 500 мВт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SC-59
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
Current Id Max: 4 А
Тип корпуса: SC-59
Способ монтажа: SMD
Тип транзистора: Enhancement
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DMN1007F, DMN100 7 F