Datasheet DMN2112SN-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 1.2 А, SC-59 — Даташит
Наименование модели: DMN2112SN-7
![]() 12 предложений от 9 поставщиков Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |||
DMN2112SN-7 Diodes | 8.48 ₽ | ||
DMN2112SN-7 Diodes | 12 ₽ | ||
DMN2112SN-7 Diodes | от 86 ₽ | ||
DMN2112SN-7 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 1.2 А, SC-59
Краткое содержание документа:
DMN2112SN
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
· · · · · · Low On-Resistance Ideal for Notebook Computer, Portable Phone, PCMCIA Cards, and Battery Powered Circuits Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability ESD Protected Gate "Green" Device (Note 3)
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-59
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 4 А
- Тип корпуса: SC-59
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
DMN2112SN7, DMN2112SN 7