Datasheet DMN3730UFB-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.75 А, DFN — Даташит
Наименование модели: DMN3730UFB-7
![]() 27 предложений от 11 поставщиков Транзистор: N-MOSFET | |||
DMN3730UFB-7 Diodes | 12 ₽ | ||
DMN3730UFB-7 Diodes | 37 ₽ | ||
DMN3730UFB-7 Diodes | от 122 ₽ | ||
DMN3730UFB-7 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.75 А, DFN
Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
DMN3730UFB
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(on) 460m @ VGS= 4.5V 30V 560m @ VGS= 2.5V 0.7A ID TA = 25°C 0.9A
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 910 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 460 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 470 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: DFN1006
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 910 мА
- Voltage Vgs Max: 8 В
RoHS: есть
Варианты написания:
DMN3730UFB7, DMN3730UFB 7