Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet DMN3730UFB-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.75 А, DFN

Diodes DMN3730UFB-7

Наименование модели: DMN3730UFB-7

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.75 А, DFN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
DMN3730UFB
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(on) 460m @ VGS= 4.5V 30V 560m @ VGS= 2.5V 0.7A ID TA = 25°C 0.9A

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 910 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 460 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 470 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: DFN1006
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 910 мА
  • Voltage Vgs Max: 8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DMN3730UFB7, DMN3730UFB 7

На английском языке: Datasheet DMN3730UFB-7 - Diodes MOSFET, N CH, 30 V, 0.75 A, DFN

Цена DMN3730UFB-7DMN3730UFB-7 на РадиоЛоцман.Цены — от 7,74 до 12,10 руб.
10 предложений от 5 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
ПоставщикПроизводительЦена
ЭИКDiodesот 7,74 руб.
T-electronDiodes9,34 руб.
ЭлитанDiodes12,10 руб.
Кремнийпо запросу

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Вебинар Литиевые ХИТы FANSO или что нужно знать инженеру о батарейках 20.06.2019
Пассивные компоненты для передовых разработок
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru