Datasheet DMN3730UFB4-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.75 А, DFN — Даташит

Купить DMN3730UFB4-7 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.56 до 43 ₽ 35 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 730мА; Idm: 3А; 690мВт
AiPCBA Весь мир	DMN3730UFB4-7 Diodes	2.67 ₽	Купить
ЭИК Россия	DMN3730UFB4-7B Diodes	от 10 ₽	Купить
Триема Россия	DMN3730UFB4-7 Diodes	40 ₽	Купить
Augswan Весь мир	DMN3730UFB4-7-55 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.75 А, DFN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN3730UFB4
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(on) 460m @ VGS= 4.5V 30V 560m @ VGS= 2.5V 0.7A ID TA = 25°C 0.9A
Features and Benefits

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 910 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 460 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Рассеиваемая мощность: 470 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: DFN1006H4
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 900 мА
• Voltage Vgs Max: 8 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DMN3730UFB47, DMN3730UFB4 7