Datasheet DMP2012SN-7 - Diodes Даташит Полевой транзистор p-канальный SC-59 — Даташит
Наименование модели: DMP2012SN-7
![]() 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -900мА; Idm: -2,8А; 500мВт | |||
DMP2012SN-7 Diodes | 6.03 ₽ | ||
DMP2012SN-7 Diodes | по запросу | ||
DMP2012SN-7-F Diodes | по запросу | ||
DMP2012SN-7 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор p-канальный SC-59
Краткое содержание документа:
DMP2012SN
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ESD Protected Gate "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -700 мА
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 300 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.2 В
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SC-59
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: -700 мА
- Тип корпуса: SC-59
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
DMP2012SN7, DMP2012SN 7