Datasheet DMS3014SSS-13 - Diodes Даташит Полевой транзистор, +SCH, N CH, 30 В, 11 А, SO8 — Даташит

Купить DMS3014SSS-13 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 72 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
T-electron Россия и страны СНГ	DMS3014SSS-13 Diodes	12 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	DMS3014SSS-13 Diodes	от 67 ₽	Купить
ЭИК Россия	DMS3014SSS-13 Diodes	от 72 ₽	Купить
Augswan Весь мир	DMS3014SSS-13 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, +SCH, N CH, 30 В, 11 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMS3014SSS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
Features
· DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(ON) - minimizes conduction losses · Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction · Low Qrr - lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio ­ reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged ­ IAR and EAR rated Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 1.55 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 10.4 А
• Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DMS3014SSS13, DMS3014SSS 13