Datasheet DMS3016SSS-13 - Diodes Даташит Полевой транзистор, +SCH, N CH, 30 В, 9.8 А, SO8 — Даташит

Купить DMS3016SSS-13 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 509 ₽ 13 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
Lixinc Electronics Весь мир	DMS3016SSS-13 Diodes	от 13 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	DMS3016SSS-13 Diodes	13 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	DMS3016SSS-13 Diodes	30 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	DMS3016SSS-13 Diodes	31 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, +SCH, N CH, 30 В, 9.8 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMS3016SSS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
Features
· DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(ON) - minimizes conduction losses · Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction · Low Qrr - lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio ­ reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged ­ IAR and EAR rated Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 1.54 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 9.8 А
• Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DMS3016SSS13, DMS3016SSS 13