Datasheet DMS3016SSS-13 - Diodes Даташит Полевой транзистор, +SCH, N CH, 30 В, 9.8 А, SO8 — Даташит

Diodes DMS3016SSS-13

Наименование модели: DMS3016SSS-13

Купить DMS3016SSS-13 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 450 ₽ 14 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
T-electron Россия и страны СНГ	DMS3016SSS-13 Diodes	15 ₽
AiPCBA Весь мир	DMS3016SSS-13 Diodes	35 ₽
ЭИК Россия	DMS3016SSS-13 Diodes	от 82 ₽
Utmel Весь мир	DMS3016SSS-13 Diodes	от 450 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, +SCH, N CH, 30 В, 9.8 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMS3016SSS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
Features
· DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(ON) - minimizes conduction losses · Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction · Low Qrr - lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged IAR and EAR rated Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 9.8 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 9 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Рассеиваемая мощность: 1.54 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
Current Id Max: 9.8 А
Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DMS3016SSS13, DMS3016SSS 13