Datasheet ZVN2110G - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223 — Даташит

Купить ZVN2110G на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 3 801 ₽ 20 предложений от 10 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 500 мА, 4 Ом, SOT-223, Surface Mount
Элитан Россия	ZVN2110G Diodes	57 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZVN2110G Diodes	68 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	ZVN2110G Zetex	75 ₽	Купить
Akcel Весь мир	ZVN2110G Diodes	от 118 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 ­ OCTOBER 1995 7 FEATURES * 6A PULSE DRAIN CURRENT * FAST SWITCHING SPEED
ZVN2110G
D
S PARTMARKING DETAIL COMPLEMENTARY TYPE ZVN2110 ZVP2110G D G

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 500 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 6 А
• SMD Marking: ZVN2110
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.4 В

RoHS: есть