Datasheet ZVN3310F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить ZVN3310F на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 1 385 ₽ 24 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 100 мА, 10 Ом, SOT-23, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	ZVN3310F Diodes	14 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZVN3310F Diodes	от 23 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZVN3310F Diodes	от 46 ₽	Купить
ИМЭК Россия и страны ТС	ZVN3310F Diodes	131 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 ­ OCTOBER 1995 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 10 7
ZVN3310F
S
D G

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 10 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.4 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 100 мА
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: ZVN3310F
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 330 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт
• Pulse Current Idm: 2 А
• SMD Marking: MF
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.4 В

RoHS: есть