Datasheet ZVP2106G - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: ZVP2106G
![]() 19 предложений от 12 поставщиков , Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 | |||
ZVP2106G Diodes | 28 ₽ | ||
ZVP2106G | от 76 ₽ | ||
ZVP2106G | 2 429 ₽ | ||
ZVP2106G Zetex | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, P, SOT-223
Краткое содержание документа:
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 MARCH 96 FEATURES * 60 Volt VDS * RDS(on)=5 PARTMARKING DETAIL: COMPLEMENTARY TYPE: ZVP2106 ZVN2106G
ZVP2106G
D
S D G
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 450 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -3.5 В
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 450 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 4 А
- SMD Marking: ZVP2106
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3.5 В
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -3.5 В
RoHS: есть