Datasheet ZXM61N03F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить ZXM61N03F на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 63 ₽ 22 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 1.4 А, 0.22 Ом, SOT-23, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	ZXM61N03F Diodes	13 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	ZXM61N03F	от 29 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXM61N03F Diodes	по запросу	Купить
727GS Весь мир	ZXM61N03F Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXM61N03F
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=30V; RDS(ON)=0.22 ; ID=1.4A
DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES · · · · · · · · · Low on-resistance Fast switching speed Low threshold Low gate drive SOT23 package
SOT23

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 220 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 1.4 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 220 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 625 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 625 Вт
• Pulse Current Idm: 7.3 А
• SMD Marking: N03
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть