Datasheet ZXM61P02F - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Купить ZXM61P02F на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 3 130 ₽ 23 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 900 мА, 0.6 Ом, SOT-23, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	ZXM61P02F Diodes	16 ₽	Купить
Элитан Россия	ZXM61P02F Diodes	19 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZXM61P02F Diodes	от 47 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZXM61P02F Diodes	от 71 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXM61P02F
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=-20V; RDS(ON)=0.60 ; ID=-0.9A
DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES · · · · · · · · · Low on-resistance Fast switching speed Low threshold Low gate drive SOT23 package
SOT23

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 900 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: -700 мВ
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 900 мА
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 600 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 625 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 625 Вт
• Pulse Current Idm: 4.9 А
• SMD Marking: P02
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть