Datasheet ZXM62P02E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23-6 — Даташит

Купить ZXM62P02E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.74 до 142 ₽ 31 предложений от 20 поставщиков Труба MOS, 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
AllElco Electronics Весь мир	ZXM62P02E6TA Diodes	от 7.74 ₽	Купить
Триема Россия	ZXM62P02E6TA-VB	142 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXM62P02E6TA Diodes	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	ZXM62P02E6_04 Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXM62P02E6
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=-20V; RDS(ON)=0.20 ; ID=-2.3A
DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES · · · · · · · · · Low on-resistance Fast switching speed Low threshold Low gate drive SOT23-6 package
SOT23-6

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -2.3 А
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 200 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 13 А
• SMD Marking: 2P02
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901