Datasheet ZXM62P03E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23-6 — Даташит

Купить ZXM62P03E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.82 до 152 ₽ 47 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 2.6 А, 0.11 Ом, SOT-23, Surface Mount
Компонентс Ру Россия	ZXM62P03E6TA Diodes	от 50 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	ZXM62P03E6TA Diodes	от 65 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZXM62P03E6 Diodes	от 152 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXM62P03E6TC Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXM62P03E6
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.15 DESCRIPTION
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
ID=-2.6A

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -1.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 150 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• SMD Marking: 2P03
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть