Datasheet ZXM64N02X - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, MSOP-8 — Даташит
Наименование модели: ZXM64N02X
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8Pin MSOP | |||
ZXM64N02X Diodes | по запросу | ||
ZXM64N02X Zetex | по запросу | ||
ZXM64N02X Diodes | по запросу | ||
ZXM64N02X_04 Zetex | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, MSOP-8
Краткое содержание документа:
ZXM64N02X
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.040; ID=5.4A
DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES · · · · · · · · · Low on-resistance Fast switching speed Low threshold Low gate drive Low profile SOIC package
MSOP8
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: MSOP
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 5.4 А
- Current Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 40 МОм
- Тип корпуса: MSOP8
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- SMD Marking: ZXM4N02
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 700 мВ
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE903