Datasheet ZXM64P03X - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, MSOP-8 — Даташит
Наименование модели: ZXM64P03X
![]() 23 предложений от 10 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 3.8 А, 0.075 Ом, MSOP, Surface Mount | |||
ZXM64P03X Vishay | 44 ₽ | ||
ZXM64P03X_05 Zetex | 67 ₽ | ||
ZXM64P03X Diodes | 99 ₽ | ||
ZXM64P03X | от 102 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, P, MSOP-8
Краткое содержание документа:
ZXM64P03X
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.075 DESCRIPTION
ID=-3.8A
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 75 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: MSOP
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -3.8 мА
- Current Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 75 МОм
- Тип корпуса: MSOP8
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 19 А
- SMD Marking: ZXM4P03
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Min: -1 В
RoHS: есть