Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet ZXM64P03X - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, MSOP-8 — Даташит

Diodes ZXM64P03X

Наименование модели: ZXM64P03X

23 предложений от 10 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 3.8 А, 0.075 Ом, MSOP, Surface Mount
ChipWorker
Весь мир
ZXM64P03X
Vishay
44 ₽
EIS Components
Весь мир
ZXM64P03X_05
Zetex
67 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZXM64P03X
Diodes
99 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
ZXM64P03X
от 102 ₽
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P, MSOP-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXM64P03X
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS=-30V; RDS(ON)=0.075 DESCRIPTION
ID=-3.8A
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 75 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: -20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: MSOP
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: -3.8 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 75 МОм
  • Тип корпуса: MSOP8
  • Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
  • Pulse Current Idm: 19 А
  • SMD Marking: ZXM4P03
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
  • Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXM64P03X - Diodes MOSFET, P, MSOP-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка