Datasheet ZXMN0545G4 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN0545G4 на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 142 ₽ 16 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Триема Россия	ZXMN0545G4TC-VB	142 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZXMN0545G4TA Diodes	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	ZXMN0545G4TA Diodes	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	ZXMN0545G4 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN0545G4
450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA
DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and general high voltage circuits. FEATURES
· High voltage · Low on-resistance · Fast switching speed · Low gate drive · Low threshold · SOT223 package variant engineered to increase spacing between

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 140 мА
• Drain Source Voltage Vds: 450 В
• On Resistance Rds(on): 50 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -80°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Код применяемости: HVGP
• Current Id Max: 140 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 600 мА
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 450 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В

RoHS: есть