Datasheet ZXMN10A07F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить ZXMN10A07F на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 66 ₽ 29 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 640 мА, 1 Ом, SOT-23, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	ZXMN10A07F Vishay	19 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMN10A07F Diodes	66 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	ZXMN10A07F Zetex	по запросу	Купить
727GS Весь мир	ZXMN10A07F Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN10A07F
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS= 100V : RDS(on)= 0.7 DESCRIPTION
ID= 0.8A
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 640 мА
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 640 мА
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 1 Ом
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 625 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт
• Pulse Current Idm: 2.5 А
• SMD Marking: 7N1
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901