Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet ZXMN10A08E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит

Diodes ZXMN10A08E6

Наименование модели: ZXMN10A08E6

25 предложений от 19 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive 6Pin SOT-26 T/R
ЭИК
Россия
ZXMN10A08E6TA
Diodes
от 36 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
ZXMN10A08E6TC
по запросу
ZXMN10A08E6T
Diodes
по запросу
ZXMN10A08E6
Diodes
по запросу

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 400 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 1.9 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 400 МОм
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
  • Pulse Current Idm: 5.3 А
  • SMD Marking: 10A8
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMN10A08E6 - Diodes MOSFET, N, SOT-23-6

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка