Datasheet ZXMN10A11G - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить ZXMN10A11G на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 3 137 ₽ 22 предложений от 10 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 1.8 А, 0.6 Ом, SOT-223, Surface Mount
Элитан Россия	ZXMN10A11G Diodes	47 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	ZXMN10A11G	от 59 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZXMN10A11G Diodes	от 78 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXMN10A11G Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN10A11G
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS= 100V; RDS(ON)= 0.35 DESCRIPTION
ID= 2.4A
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.4 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 600 МОм
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 5.8 А
• SMD Marking: ZXMN10A11
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть