Источники питания KEEN SIDE

Datasheet ZXMN10A25KTC - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, D-PAK — Даташит

Diodes ZXMN10A25KTC

Наименование модели: ZXMN10A25KTC

30 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Maybo
Весь мир
ZXMN10A25KTC
Diodes
106 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
ZXMN10A25KTC
114 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
ZXMN10A25KTC
Diodes
по запросу
727GS
Весь мир
ZXMN10A25KTC
Diodes
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, D-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN10A25K 100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 100 RDS(on) (V) 0.125 @ VGS= 10V 0.150 @ VGS= 6V ID (A) 6.4 5.8
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 125 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 6.4 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 9.85 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet ZXMN10A25KTC - Diodes MOSFET, N, 100 V, D-PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка