Datasheet ZXMN2B01F - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить ZXMN2B01F на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 1 434 ₽ 10 предложений от 6 поставщиков Силовой МОП-транзистор, низковольтный, N Канал, 20 В, 2.4 А, 0.1 Ом, SOT-23, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	ZXMN2B01F Diodes	42 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXMN2B01F Diodes	42 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZXMN2B01F Diodes	от 91 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	ZXMN2B01F	1 434 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2B01F 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
Summary
V(BR)DSS RDS(on) ( ) 0.100 @ VGS= 4.5V 20 0.150 @ VGS= 2.5V 0.200 @ VGS= 1.8V ID (A) 2.4 2.0 1.7
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with low gate drive.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 370 пФ
• Current Id Max: 2.4 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• N-channel Gate Charge: 4.8nC
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 625 мВт
• Pulse Current Idm: 11.8 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 6.7 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Время выключения: 17.8 нс
• Время включения: 2.2 нс
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 4.5 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1 В
• Voltage Vgs th Min: 0.4 В

RoHS: есть