Datasheet ZXMN2B14FH - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: ZXMN2B14FH
Купить ZXMN2B14FH на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 3 504 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков DIODES INC. ZXMN2B14FH MOSFET Transistor, Low Voltage, N Channel, 4.3A, 20V, 55mohm, 4.5V, 1V | |||
TS921IPT STMicroelectronics | 27 ₽ | ||
ZXMN2B14FH Zetex | 78 ₽ | ||
ZXMN2B14FH Zetex | по запросу | ||
ZXMN2B14FH Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
ZXMN2B14FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
Summary
V(BR)DSS RDS(on) ( ) 0.055 @ VGS= 4.5V 20 0.075 @ VGS= 2.5V 0.100 @ VGS= 1.8V ID (A) 4.3 3.7 3.2
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex features low onresistance achievable with low gate drive.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 55 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 872 пФ
- Current Id Max: 4.3 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- N-channel Gate Charge: 11nC
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
- Pulse Current Idm: 21 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 9.4 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Время выключения: 30 нс
- Время включения: 3.7 нс
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds N Channel: 4.5 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1 В
- Voltage Vgs th Min: 0.4 В
RoHS: есть