Источники питания KEEN SIDE

Datasheet ZXMN2F30FHTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Diodes ZXMN2F30FHTA

Наименование модели: ZXMN2F30FHTA

30 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
ZXMN2F30FHTA
Diodes
от 3.30 ₽
ZXMN2F30FHTA
Diodes
от 27 ₽
Maybo
Весь мир
ZXMN2F30FHTA
Diodes
35 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
ZXMN2F30FHTA
Diodes
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2F30FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 20 RDS(on) () 0.045 @ VGS= 4.5V 0.065 @ VGS= 2.5V ID (A) 4.9 4.1
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with low (2.5V) gate drive.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 45 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 4.9 А
  • On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 65 МОм
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 45 МОм
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 960 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet ZXMN2F30FHTA - Diodes MOSFET, N, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка