HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet ZXMN2F30FHTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Diodes ZXMN2F30FHTA

Наименование модели: ZXMN2F30FHTA

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23
ZXMN2F30FHTA
Diodes
7.11 ₽
Akcel
Весь мир
ZXMN2F30FHTA
Diodes
от 12 ₽
Триема
Россия
ZXMN2F30FHTA
Diodes
23 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
ZXMN2F30FHTA
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN2F30FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V(BR)DSS 20 RDS(on) () 0.045 @ VGS= 4.5V 0.065 @ VGS= 2.5V ID (A) 4.9 4.1
Description
This new generation Trench MOSFET from Zetex features low onresistance achievable with low (2.5V) gate drive.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 45 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 4.9 А
  • On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 65 МОм
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 45 МОм
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 960 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet ZXMN2F30FHTA - Diodes MOSFET, N, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России