Datasheet ZXMN3B01FTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 2 А, SOT23-3 — Даташит
Наименование модели: ZXMN3B01FTA
![]() 32 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 9,4А; 0,625Вт; SOT23 | |||
ZXMN3B01FTA Diodes | от 5.07 ₽ | ||
ZXMN3B01FTA Diodes | 12 ₽ | ||
ZXMN3B01FTA Diodes | 28 ₽ | ||
ZXMN3B01FTA Zetex | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 2 А, SOT23-3
Краткое содержание документа:
ZXMN3B01F
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.15 ; ID=2A DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 150 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 2 А
- Power Dissipation Pd: 625 мВт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fairchild - FDS8926A